Tillverkarens artikelnummer : | APT25GP120BDQ1G | RoHs status : | Blyfri / Överensstämmer med RoHS |
---|---|---|---|
Tillverkare / Brand : | Microsemi | Lager skick : | 3750 pcs Stock |
Beskrivning : | IGBT 1200V 69A 417W TO247 | Skicka från : | Hong Kong |
Datablad : | APT25GP120BDQ1G(1).pdfAPT25GP120BDQ1G(2).pdf | Leveransväg : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Artikelnummer | APT25GP120BDQ1G |
---|---|
Tillverkare | Microsemi |
Beskrivning | IGBT 1200V 69A 417W TO247 |
Ledningsfri status / RoHS-status | Blyfri / Överensstämmer med RoHS |
Tillgänglig kvantitet | 3750 pcs |
Datablad | APT25GP120BDQ1G(1).pdfAPT25GP120BDQ1G(2).pdf |
Spänning - Samlare Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Vce (på) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 25A |
Testvillkor | 600V, 25A, 5 Ohm, 15V |
Td (på / av) @ 25 ° C | 12ns/70ns |
Växla energi | 500µJ (on), 440µJ (off) |
Leverantörs Device Package | TO-247 [B] |
Serier | POWER MOS 7® |
Effekt - Max | 417W |
Förpackning | Tube |
Förpackning / Fodral | TO-247-3 |
Andra namn | APT25GP120BDQ1GMI APT25GP120BDQ1GMI-ND |
Driftstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstyp | Through Hole |
Fuktkänslighetsnivå (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tillverkarens normala ledtid | 32 Weeks |
Ledningsfri status / RoHS-status | Lead free / RoHS Compliant |
Inmatningstyp | Standard |
IGBT-typ | PT |
Gate Charge | 110nC |
detaljerad beskrivning | IGBT PT 1200V 69A 417W Through Hole TO-247 [B] |
Nuvarande - Samlare Pulsad (Icm) | 90A |
Nuvarande - Samlare (Ic) (Max) | 69A |
MOSFET N-CH 200V 56A TO-247
IGBT 1200V 69A 417W TO247
MOSFET N-CH 600V 28A TO-247
DIODE SILICON 650V 32A TO220
LED YELLOW CLEAR CHIP SMD
IGBT 900V 72A 417W TO247
MOSFET N-CH 500V 20A TO-247
TRANS NPN 450V 0.8A TO92
MOSFET N-CH 500V 24A TO-247
TRANS NPN 450V 0.8A TO92