Tillverkarens artikelnummer : | PBRN113ES,126 | RoHs status : | Blyfri / Överensstämmer med RoHS |
---|---|---|---|
Tillverkare / Brand : | NXP Semiconductors / Freescale | Lager skick : | 5056 pcs Stock |
Beskrivning : | TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3 | Skicka från : | Hong Kong |
Datablad : | PBRN113ES,126.pdf | Leveransväg : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Artikelnummer | PBRN113ES,126 |
---|---|
Tillverkare | NXP Semiconductors / Freescale |
Beskrivning | TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3 |
Ledningsfri status / RoHS-status | Blyfri / Överensstämmer med RoHS |
Tillgänglig kvantitet | 5056 pcs |
Datablad | PBRN113ES,126.pdf |
Spänning - Samlare Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Mättnad (Max) @ Ib, Ic | 1.15V @ 8mA, 800mA |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Leverantörs Device Package | TO-92-3 |
Serier | - |
Motstånd - Emitterbas (R2) | 1 kOhms |
Motstånd - Bas (R1) | 1 kOhms |
Effekt - Max | 700mW |
Förpackning | Tape & Box (TB) |
Förpackning / Fodral | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Andra namn | 934058999126 PBRN113ES AMO PBRN113ES AMO-ND |
Monteringstyp | Through Hole |
Fuktkänslighetsnivå (MSL) | 1 (Unlimited) |
Ledningsfri status / RoHS-status | Lead free / RoHS Compliant |
detaljerad beskrivning | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 800mA 700mW Through Hole TO-92-3 |
Likströmsstigning (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 300mA, 5V |
Nuvarande - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Nuvarande - Samlare (Ic) (Max) | 800mA |
Bas-delenummer | PBRN113 |
TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3
CER RES 3.5800MHZ 30PF SMD
CER RES 4.1900MHZ 30PF SMD
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
CER RES 2.0000MHZ 30PF SMD
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
CER RES 4.0000MHZ 30PF SMD
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3