Micron lanserar det första 1 y DDR5 DRAM -chipet med EUV -teknik
Feb 26,2025
Micron Technology meddelade att den har börjat leverera 1 Gamma (1-gamma) 16Gbit DDR5 DRAM-chips till vissa ekosystempartners och kunder.
Micron påstår sig vara det första företaget som använder en 1-gamma (1 y) nod, som hänvisar till den sjätte generationen av DRAM-processteknologi med en minsta geometrisk storlek mellan 19nm och 10nm.När DRAM -tillverkare började tillverka 10nm nivå DRAM, övergav de nanoskala mätningar och antog istället 1x, 1y, 1z, nu 1 a, 1 ß och 1 y.
Tack vare Microns tidigare ledande fördel i 1 α och 1 ß DRAM-noder kommer denna nya milstolpe i 1 y DRAM-nod att driva innovativ utveckling av framtida datorplattformar från moln, industri och konsumentapplikationer till AI-enheter som AI som AI som AI-enheter som AIPCS, smartphones och bilar.Under tiden, genom att utveckla 1 gammanod i olika tillverkningsbaser över hela världen, kan Micron ge branschen mer avancerad teknik och starkare leveransens motståndskraft.
Micron påstår sig vara det första företaget som använder en 1-gamma (1 y) nod, som hänvisar till den sjätte generationen av DRAM-processteknologi med en minsta geometrisk storlek mellan 19nm och 10nm.När DRAM -tillverkare började tillverka 10nm nivå DRAM, övergav de nanoskala mätningar och antog istället 1x, 1y, 1z, nu 1 a, 1 ß och 1 y.
Tack vare Microns tidigare ledande fördel i 1 α och 1 ß DRAM-noder kommer denna nya milstolpe i 1 y DRAM-nod att driva innovativ utveckling av framtida datorplattformar från moln, industri och konsumentapplikationer till AI-enheter som AI som AI som AI-enheter som AIPCS, smartphones och bilar.Under tiden, genom att utveckla 1 gammanod i olika tillverkningsbaser över hela världen, kan Micron ge branschen mer avancerad teknik och starkare leveransens motståndskraft.
Microns 1 y 16Gbit DDR5 DRAM är utformad för att ge en hastighetsförmåga på upp till 9200 mT/s, vilket är 15% snabbare och över 20% lägre i kraftförbrukningen jämfört med föregångaren (16Gbit DDR5 implementerad med 1 ß -teknik).
Jämfört med föregående generation har 1 y -noden EUV -teknik ökat utgången i skivkapacitet med 30%, vilket har förbättrat Microns ekonomiska fördelar.Till skillnad från 1 ß -noden kräver det emellertid användning av extremt ultraviolett (EUV) litografiteknologi för att skildra finare egenskaper på kiselskivor med extremt korta våglängder.Minnet inkluderar också nästa generations hög-K Metal Gate CMOS-teknik, som förbättrar transistorprestanda, uppnår högre priser, mer optimerade mönster och mindre funktionsstorlekar och därigenom ger dubbla fördelar med minskning av strömförbrukning och prestandautvidgning.
Scott DeBoer, verkställande direktör och chefsteknologi och produktchef för Micron, sa: "Med expertis i att utveckla egenutvecklad DRAM -teknik och strategisk tillämpning av EUV -litografiteknik har Micron skapat en avancerad minnesproduktportfölj baserad på 1 gammanoder, vilket hjälper till att köra till att driva EUVUtvecklingen av AI -ekosystemet.vilket gör det möjligt för oss att utöka omfattningen av minnesförsörjningen för att möta den växande efterfrågan i branschen
Micron planerar att introducera 1 Gamma i hela DRAM -serien.Detta inkluderar DDR5 för datacenter, lågeffekt DRAM för kant AI, DDR5 SODIMM för AI PCS och LPDDR5X för mobila produkter och bilar.
Micron uppgav att kunderna AMD och Intel har börjat validera användningen av 1 Gamma DRAM i sina servrar och konsumentprocessorer.
Jämfört med föregående generation har 1 y -noden EUV -teknik ökat utgången i skivkapacitet med 30%, vilket har förbättrat Microns ekonomiska fördelar.Till skillnad från 1 ß -noden kräver det emellertid användning av extremt ultraviolett (EUV) litografiteknologi för att skildra finare egenskaper på kiselskivor med extremt korta våglängder.Minnet inkluderar också nästa generations hög-K Metal Gate CMOS-teknik, som förbättrar transistorprestanda, uppnår högre priser, mer optimerade mönster och mindre funktionsstorlekar och därigenom ger dubbla fördelar med minskning av strömförbrukning och prestandautvidgning.
Scott DeBoer, verkställande direktör och chefsteknologi och produktchef för Micron, sa: "Med expertis i att utveckla egenutvecklad DRAM -teknik och strategisk tillämpning av EUV -litografiteknik har Micron skapat en avancerad minnesproduktportfölj baserad på 1 gammanoder, vilket hjälper till att köra till att driva EUVUtvecklingen av AI -ekosystemet.vilket gör det möjligt för oss att utöka omfattningen av minnesförsörjningen för att möta den växande efterfrågan i branschen
Micron planerar att introducera 1 Gamma i hela DRAM -serien.Detta inkluderar DDR5 för datacenter, lågeffekt DRAM för kant AI, DDR5 SODIMM för AI PCS och LPDDR5X för mobila produkter och bilar.
Micron uppgav att kunderna AMD och Intel har börjat validera användningen av 1 Gamma DRAM i sina servrar och konsumentprocessorer.